Materials

素材

2.5 Gbps InGaAs アバランシェ・フォトダイオード(APD)
裏面入射型チップ、チップオンキャリア

製品型番 : PDAB0055-C

InGaAs Avalanche Photodiode 2.5 Gbps, Back-Illuminated(chipInGaAs Avalanche Photodiode 2.5 Gbps, Back-Illuminated(chip


アプリケーション:

  • G-PON / GE-PON

特長:

  • 高信頼性
  • 1000 ~ 1625nm スペクトル感度
  • 低暗電流


寸法:

電気光学特性

パラメータ Min. Typ. Max. 特記事項
受光領域径(μm)   55    
感度 (A/W) 0.80     1.55μm, M=1
暗電流 (nA)     50 0.9V , 25℃
降伏電圧 (Vbr) 35   60 10μA
電気容量 (pF)     0.7 1MHz, M=10
周波数応答 (GHz) 1.5     M=8, RL=50
動作電圧 (V)   Vbr-1   M=10
パンチスルー電圧(Vp) 15   Vbr-10 下記参照
降伏電圧温度依存性 (%/℃) 0.1 0.15    
*特記無き場合 25℃, Pout =1uW
*パンチスルー電圧:IV特性の一次微分の極大値+1.5V
*パンチスルー電圧において、増倍率は1(M=1)と定義する。


絶対最大定格

パラメータ Min. Typ. Max.
逆方向電流(mA)     1
順方向電流(mA)     2
最大入射光強度(mW)     1
動作温度(℃) 0   +85
保存温度 (℃) -40   +85



寸法:

InGaAs Avalanche Photodiode 2.5 Gbps, Back-Illuminated(chip

 

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