Materials

素材

InGaAs Avalanche Photodiode (APD) 10 Gbps(Chip)10 Gbps InGaAs アバランシェ・フォトダイオード(APD)
チップ,チップオンキャリア

型番 : PDAB0022-C

アプリケーション:

  • Long Haul レシーバー
  • SONET/SDH レシーバー


特長:

  • セラミック サブキャリア
  • 高信頼性
  • 1000 ~ 1625nm スペクトル感度
  • 低暗電流



Schematic:

InGaAs Avalanche Photodiode (APD) 10 Gbps(Chip)

仕様:

電気光学特性

パラメータ Min. Typ. Max. 特記事項
受光領域径(μm)   22    
感度(A/W) 0.80     1.55μm, M=1
暗電流(nA)     50 0.9V , 25℃
降伏電圧(Vbr)     35 10μA
電気容量(pF)     0.7 1MHz, M=10
周波数応答(GHz) 7     M=8, RL=50
動作電圧(Vop)       M=10
パンチスルー電圧(Vp) 15   Vbr-10 下記参照
降伏電圧温度依存性(%/℃)   0.15    
*特記無き場合、 25℃, Poutt =1uW
*パンチスルー電圧:IV特性の一次微分の極大値+1.5V
*パンチスルー電圧において、増倍率は1(M=1)と定義する。


絶対最大定格

パラメータ Min. Typ. Max.
逆方向電流(mA)     1
順方向電流(mA)     1
最大入射光強度(mW)     0.5
動作温度(℃) 0   +85
保存温度(℃) -40   +85



寸法:

InGaAs Avalanche Photodiode (APD) 10 Gbps(Chip)

 

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